中科院王保田老师课题组“优异的pDF热电材料：具有超低热导率的单层SnI2”

病态能。单层SnI2沿锯齿型号正向和照明灯型号正向的水分子圣万桑引率在液态条件下分别低至0.33和0.18 W/mK。该政治体制超低圣万桑引率的所致可归因于面外阻尼声子模式与面内阻尼模式的完全解是耦，以及强声子非谐病态和氢金属离子弱键病态避免的较小的声子弛豫时间。面外阻尼声子模式对水分子圣万桑引起巨大作用，它在推倒生活空间有个平带，避免声子谱态体积最低峰值出有现在并不低的能量水平 (~0.7 THz)，该基本原理支极大的安德森海伦参近 (非零) 说明了它在环境温度升高就会展现出有出有明显的非谐效应。

示意图3. (a) 各有不同正向的水分子圣万桑引率和总圣万桑引率，以及各有不同阻尼模式对总圣万桑引率的贡献随环境温度的变动；(b) 声子色散曲线；(c) 圣万桑引率光谱示意图；(d) 各有不同阻尼模式的安德森爱森参近；(e) 各有不同阻尼模式的三声子散相生活空间；(f) 各有不同阻尼模式的声子弛豫时间。

圣万桑优值

示意图4为圣万桑优值随环境温度和锂电引率的变动关联。得出有结论，由于p型号锂的磁力以利于病态能少优胜于n型号锂，因此无论是锯齿形正向还是照明灯型号正向，p型号SnI2的圣万桑优值要少大于n型号。第一病态基本原理分子动力学算出有说明了单层SnI2在800 K条件下依然保持很好的圣万桑稳定病态，圣万桑优值在很周长的温区都超过了1，跟实验上报道的SnSe以及假定报道的SnP3等圣万桑材质一样，具优异的圣万桑病态能。

示意图4. (a) 照明灯型号正向p型号锂；(b) 照明灯型号正向n型号锂；(c) 锯齿型号正向p型号锂；(d) 锯齿型号正向n型号锂时的圣万桑优值随环境温度和锂电引率的变动关联。

较浅入研究总结

转化体积线性代近理论和半经典的玻尔兹曼以利于方程，著者系统地较浅入研究了单层SnI2的圣万桑病态能。其强声子非谐病态和软化的声子阻尼模式极大地抑制了声子以利于病态能，并且避免了常温下锯齿形和照明灯型号超低的水分子圣万桑引率(0.33, 0.18 W/mK)。同时由于间隙顶的能谷中会双晶格，p病态SnI2展现出有出有更为极为重要的圣万桑病态能，且p病态锂的SnI2的圣万桑优值少大于1，所以，SnI2是圣万桑系统设计的新型号候选材质。

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